图书：《巨峰科技-半导体工艺》

文章：超大型集成电路化学污染控制技术

编号：JFKJ-21-140

摘要？

？吸附在硅片表面的微量化学污染物对超大型集成电路器件的性能影响越来越大。为了防止化学污染物的吸附，需要通过分析确定其来源，然后将晶圆与这些来源隔离。 ?本文重点介绍化学污染，尤其是吸附在硅表面的挥发性有机物的检测、分析和消除。 ?它们在超大集成电路晶圆加工过程中日益增加的有害影响将为分析和预防表面微量有机物带来未来的挑战和机遇。

简介

？随着半导体器件的高度集成和几何尺寸的不断缩小，已经发现不仅颗粒和金属污染，而且吸附在硅片表面的分子污染也影响着半导体器件的性能、良率、可靠性和可靠性。因此，为了防止化学污染物吸附在硅片表面，重要的是通过确定吸附硅片表面的化合物和孤立的硅片化学污染物的来源来确定污染物的来源 来源在ULSI硅片加工线。 ??

?化学污染可分为无机污染和有机污染两大类。 ? 摘要 半导体生产线快裂变材料无机污染分析技术及其防治措施已基本建立，但快裂变材料有机污染分析技术研究尚不完善。

？在本文中，将首先简要回顾化学污染——无机和有机——对器件加工各个方面的影响。 ?本文将重点研究硅片表面有机污染的检测、分析和识别，以及超大集成电路晶片加工过程中有机污染的消除和预防。 ?强调大力清洁晶圆的重要性，更理想的是发展全面的污染预防系统。

本文讲有机污染，有机污染分析方法，??有机污染物的鉴别等问题。

结论？稍微