《炬丰科技-半导体工艺》集成电路3D微型封装技
图书:《巨峰科技-半导体工艺》
文章:集成电路3D微封装技术
编号:JFKJ-21-056
作者:巨峰科技
摘要:
微电子行业有从 2D IC 到 3D IC 的主要范式变化。 3D IC焦耳发热严重,垂直互连是需要开发的关键要素。此外,可靠性问题也很重要:电迁移和应力迁移。本文介绍了3D IC封装技术中的一些实际问题和可靠性挑战。它展示了不同架构如何演变以满足不同市场的特定需求: 多芯片模块 (MCP);多封装模块(MPM);嵌入式SIP模块; SIP Package on Package (PoP) 模块; EMIB(嵌入式多芯片互连)桥接器);硅基SIP-Module; 3D-TSV堆叠模块;结合宽带和倒装芯片互连的 SIP 变体。堵塞的原因和故障机制,以及预测可靠性问题,
关键词:原型优点、摩尔定律、分析妥协、可靠性。
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简介3D MCM引入IC芯片3D集成技术和高密度芯片多层互连技术,具有更高的组装密度和能力,更多的系统功能和I/O,更低的功耗和成本,以及更小的尺寸。尺寸。封装作为电子设备的重要组成部分,负责电路支撑、保护、I/O连接、散热和屏蔽。电子器件的新发展对包装和包装材料的发展提出了更多新要求。微电路封装权衡分析与功能验证与架构设计的集成,为复杂电子系统的优化提供了完整的虚拟原型解决方案。
当今商业电子市场的主要驱动力是时间。笔记本电脑、手机和许多其他复杂的高密度系统的设计周期通常不到一年,甚至更短的市场窗口。这些产品的存在取决于寻找快速设计解决方案以满足日益苛刻的性能和成本要求。
在不影响上市时间的情况下,最大限度降低系统成本的关键是在早期设计阶段将制造信息与特定应用设计信息相结合?省略
摩尔定律?略权衡分析在微电路封装中的作用略
微纳封装策略
微纳系统可靠性策略
微纳系统可靠性策略、结论?
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