图书：《巨峰科技-半导体工艺》

文章：硅集成电路技术基础

编号：JFKJ-21-006

作者：巨峰科技

集成电路技术主要分为以下几类：

?制膜工艺

氧化：干氧氧化、湿氧氧化、水蒸气氧化

？ CVD：APCVD、LPCVD、PECVD

？ PVD：蒸发、溅射

？外延

？掺杂工艺扩散

？离子注入

？图形转换

??光刻：UV光刻、X射线光刻、电子束光刻

??蚀刻：干蚀刻、湿蚀刻

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工艺集成：利用各种工艺技术形成电路结构的制造工艺

集成电路中的隔离< /p>

Self-isolation：MOSFET的源极和漏极的导电类型相同，与衬底的导电类型相反，所以MOSFET本身被pn结隔离，即，自我隔离。

？源漏电流只有在形成导电沟道后才能形成。只要相邻晶体管之间没有导电通道，相邻晶体管之间就不会有明显的电流。

只要保持源-衬底pn结和漏-衬底pn结的反向偏压，MOSFET就可以保持自隔离。

MOS集成电路的晶体管之间不需要pn结隔离，可以大大提高集成度。

寄生MOSFET？轻微

如图所示，寄生MOSFET采用金属引线作为栅极，引线下方两个MOSFET之间的区域为寄生导电沟道和高掺杂区。 (2)和(3)是源极和漏极。

因此，MOS集成电路中的隔离主要是为了防止形成寄生导电沟道，即防止场区的寄生MOSFET导通。

侧壁掩膜隔离略少

OCOS隔离工艺的改进---减少喙？

在制备亚微米集成电路中，改进了LOCOS隔离工艺，出现了一种减小喙部，提高表面平整度的隔离方法。

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1. LOCOS的雕刻过程：有点

2.多晶硅缓冲层的LOCOS工艺有点

3 .?界面保护局部氧化过程略

侧壁掩膜隔离

？侧壁掩膜隔离是一种无喙隔离工艺

SiO2和Si3N4层的制备与普通LOCOS工艺相同，只是在刻蚀过程中，除了刻蚀Si3N4和SiO2外，硅层需要蚀刻。蚀刻硅层的厚度大约是场氧化层厚度的一半。一般采用KOH等各向异性刻蚀方法在<100>硅表面形成倾斜约60度的侧壁。略

浅沟槽隔离策略

双极集成电路中的隔离策略

CMOS集成电路中的工艺集成策略

双阱CMOS

2.? CMOS集成电路中的栅电极？稍微

3.?双井CMOS IC工艺流程有点

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