《炬丰科技-半导体工艺》制造 CMOS集成电路
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【摘 要】:图书:《巨峰科技-半导体工艺》 文章:制造CMOS集成电路 编号:JFSJ-21-032 作者:鞠丰科技 ? 概要: I. CMOS制造工艺概述 2. CMOS制造工艺流程 3.设计规则 CMOS制造: 1. CMOS晶体管是在硅片上
图书:《巨峰科技-半导体工艺》
文章:制造CMOS集成电路
编号:JFSJ-21-032
作者:鞠丰科技
?
概要:
I. CMOS制造工艺概述
2. CMOS制造工艺流程
3.设计规则
CMOS制造:
1. CMOS晶体管是在硅片上制造的
< p>2.光刻工艺类似于印刷机3。在每个步骤中,沉积或蚀刻不同的材料
4。通过在简化的制造过程中查看晶圆 顶部和横截面是最容易理解的
逆变器部分:
1.通常nMOS晶体管使用p型衬底
2。需要n-well作为pMOS晶体管的主体
出色的基材丝锥:
1.衬底必须连接到GND,n-well必须连接到VDD
2。金属与轻掺杂半导体的连接不良,称为肖特基二极管
3。使用重掺杂井和基板接触/tap
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