来源?：新阳公告

11月3日，上海新阳公告，鉴于本次再融资募投项目已取得一定进展，公司对光刻胶项目的投资做了进一步明确和调整，并对发行方案做出相应调整，公司决定撤回2020年9月提交的向特定对象发行股票事项申请文件并重新申报。

公司同时披露新拟定的向特定对象发行股票预案。本次发行对象为不超过35名符合证监会规定的特定投资者，募集资金不超过14.50亿元，扣除发行费用后拟将8.15亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，3.35亿元用于集成电路关键工艺材料项目，3.00亿元用于补充公司流动资金。

本次募投项目募资总额（15亿元）中的7.32亿元将用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要开发集成电路制造中ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的 KrF厚膜光刻胶产品，力争于2023年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，达到国际先进技术水平。

公告显示：本项目将由上海新阳实施，实施地点为上海新阳现有厂区内。光刻胶项目总投资额预计10.46亿元，主要用于设备购置及维护、人员支出、测试化验加工费等。主要目标为实现 ArF 干法工艺使用的光刻胶和面向 3D NAND 台阶刻蚀的 KrF 厚膜光刻胶的产业化，力争于 2023 年前实现上述产品的产业化，打破国外垄断，填补国内空白，达到国际先进技术水平。

目前以ArF光刻胶、KrF厚膜光刻胶为代表的高端光刻胶以及工艺的主要技术和专利目前都掌握在国外的企业与研究部门，这些企业几乎占据了国内外高端光刻胶市场全部份额，这种局面严重制约了我国集成电路产业的自主发展。

要攻坚高端光刻胶研发，上海新阳底气何在？据介绍，公司自成立以来，坚持自主创新，成立前10年通过自主研发掌握了面向半导体封装领域的第一代电子电镀与电子清洗技术，成立后10年通过自主研发掌握了面向芯片制造领域的第二代电子电镀与电子清洗技术，为我国芯片制造铜互连工艺填补了国产材料的空白。

上海新阳表示，预计光刻胶项目研发及产业化成功后，公司将掌握包括光刻胶主要原料纯化工艺、产品配方、生产工艺和应用工艺技术在内的、具有完整知识产权的ArF干法光刻胶和KrF厚膜光刻胶的规模化生产技术，可实现两大类光刻胶产品及配套试剂的量产供货，并预计将取得20个以上发明专利。

谈及本次光刻胶项目的必要性，上海新阳阐述，自2003年起，半导体产业进入了ArF（193nm）光刻时代，先进制造工艺使用量最高的半导体光刻胶也是ArF光刻胶。目前，国内90-14 nm半导体制程的高端半导体芯片制造所用的ArF光刻胶100%需要进口，其中超过90%为日本制造，ArF高端光刻胶产品在国内一直是空白。光刻胶产品有着很高的技术壁垒，到目前为止，欧美及日本等国家仍对中国禁止输入ArF光刻胶技术。

据悉，在下游行业3D NAND的光刻技术发展中，KrF光刻技术占主要地位，所需的厚膜光刻胶市场需求量大，感光性能要求高，光刻胶图形侧壁要求笔直，抗刻蚀能力各项异性要求高，但目前该种类的光刻胶多为日韩、欧美等国家提供，代表现阶段及未来5年内处于主流地位的3D NAND制造用的厚膜光刻胶仍难觅国内光刻胶供应商踪影，市场被日本、欧美等光刻胶企业把持。

据介绍，若该项目成功实施，对我国半导体材料行业来说打破了国外垄断，实现了又一关键材料的自主化。从行业上下游来说，实现了我国集成电路产业掌握核心技术的重要一环，减小发生类似2019年下半年日本限制对韩国出口三项半导体关键材料的“卡脖子”事件的可能，提高了我国整个集成电路产业的安全性。

对公司而言，实施项目是占领技术和市场高地、进一步巩固行业地位、拓展新业绩增长点的重要发展方向，具有重大战略意义。

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