本文以虚幻的形式，请来第三代半导体材料这个三弟“说说”他的心里“话”。

我叫第三代半导体产业材料，用我可以制造高性能的电子器件和芯片，并广泛应用在许多重要领域，相关产业称之为第三代半导体材料产业，也可简称为第三代半导体产业，更甚者可简称为三代半。下文我自称为三弟，因为我们家族还有二个哥哥。

实话告诉您，第三代半导体这种叫法在国内外学术界少有采用，严谨一点叫做宽禁带半导体。国内投资界和金融市场的分析师喜欢叫第三代半导体，三弟的想法是，这样可能更容易使股民产生像3G、4G、5G通信一样更新换代的联想，让投资者对投资前途充满想象空间和赚钱希望，呵呵！忽悠，继续忽悠！

首先我对我们三兄弟做个介绍吧

我大哥大约出生和实用于20世纪50年代，他叫第一代半导体材料，主要是指锗和硅半导体材料，主要用于分立器件和芯片制造，在信息技术、航空航天、国防军工、硅光伏等领域应用极其广泛。当时，为了改善晶体管特性，提高其稳定性，半导体材料的制备技术得到了迅速发展。

50年代Ge在半导体中占主导地位，直到60年代后期，它逐渐被Si基器件所取代。Si材料自然界蕴藏量大，大尺寸晶圆制备技术、芯片制造工艺成熟。使Si基芯片产业沿着摩尔定律快速发展，产业规模巨大。

我二哥大约出生并实用于20世纪80年代，他叫第二代半导体材料，主要是指化合物半导体材料，如砷化镓、锑化铟。小众的材料还有三元化合物半导体材料，如GaASAl、DaAsP；固溶体半导体材料，如Ge-Si、GaAs-GaP等。在我被发现和利用之前，二哥也是因为相较于Si材料具有禁带宽度大、载流子浓度低、光电特性好、以及有耐热、抗辐射性能好等特性，主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，也是制作高性能微波、毫米波器件的优良材料，广泛应用在微波通信、光通信、卫星通信、光电器件、激光器和卫星导航等领域。但是GaAS、InSb材料资源稀缺，深能级缺陷、大尺寸晶圆制备难、价格贵，并且还有毒性，污染环境，这些缺点使二哥的应用受到一定局限。

三弟我大约出生并实用于本世纪初年，我是第三代半导体材料，主要是以碳化硅、氮化镓、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石为代表的具有宽禁带特性的半导体材料，因此也被成为宽禁带半导体材料。经历了二十年的培育期后，才广泛用于制作高温、高频、大功率和抗辐射电子器件，应用于半导体照明、5G通信、卫星通信、光通信、电力电子、航空航天等领域。三弟已被认为是当今电子产业发展的新动力。

大哥虽然出生早，几乎和国外洋娃娃同年代、同水平，新中国半导体产业布局和起步也很不错。但由于众所周知的十年动乱耽误，大哥和二哥后来都经历了开放以来最艰难的岁月——受国外高性能芯片的冲击。国内自己做芯片既辛苦，性能也不好，还死贵死贵。

有价廉物美的芯片可买，人们为什么不用呢？所以，最后造成大量材料、设备和芯片相关的研究所和工厂转行或者关闭，人才流失严重，国外对中国芯片业的冲击可想而知。现在中国芯片业遭受美国“卡脖子”，有些人发问“为什么以前第一代、第二代没有搞好”？国外冲击和“有用即安”的现实就是答案。中国用庞大的市场培养了国外芯片技术的进步和成长，自己则远远落后了。

但是塞翁失马，焉知非福，也有人认为：改革开放以来，中国大量采用国外芯片和先进技术，短时间内大幅提升了科技水平和综合国力，培育了广阔的信息消费市场，使移动互联网、电子商务、移动支付等走在世界前列。如果闭关自守，这个进程可能要晚很多年，而且不会领先于西方。

这样想来，三弟也觉得挺有道理，心情就释然了。这可稍稍安慰一下因大哥二哥落后于国外，三弟我忐忑不安的小心脏！

当年也有人预计二哥前途无量，大有取代大哥而独霸芯片界的潜能，但后来这种事情没有发生。后来，他的疆土到是有些被我慢慢蚕食。

三“代”不是三世同堂，我们是好兄弟一家人

我们三兄弟的名字很长，特别是有一代、二代、三代之称谓，所以，人们以为我们是三代世家，我是孙子辈，第一代是爷爷，呸呸呸！我才不想当孙子。其实，大家看看我后边的“话”，就会明白这里的“代”没有下一代替换上一代的意思，因为性能不同，大家可以差异化发展。我们是好兄弟一家亲，不像移动通信1G、2G、3G、4G、5G五代家族那样，代代竞争改朝换代，总是后浪把前浪拍死在沙滩上。我们三兄弟因性能和性格不同，在各自领域享受着自己海风徐徐吹、阳光暖暖照的那一片蓝海。