文章摘要:近六十年来， 以硅为核心材料的半导体技术， 特别是CMOS集成电路技术推动了人类信息社会的深刻变革， 但也逐渐接近其物理极限和工程极限， 全球半导体产业已经进入后摩尔时代. 半导体性碳纳米管具有高迁移率、超薄体等诸多优异的电学特性， 因此成为后摩尔时代新型半导体材料的有力候选. 基于碳纳米管的碳基电子技术历经二十余年发展， 在材料制备、器件物理和晶体管制备等基础性问题中也已经取得了根本性突破， 其产业化进程从原理上看已经没有不可逾越的障碍. 因此， 本文将着重介绍碳基电子技术在后摩尔时代的本征优势， 综述碳基电子技术的基础性问题、进展和下一步的优化方向， 及其在数字集成电路、射频电子、传感器、三维集成和特种芯片等领域的应用前景. 最后， 本文还将分析碳基电子技术产业化进程中的综合性挑战， 并对其未来发展做出预测和展望.

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论文分类号:TN30;F416.63