文章摘要:基于100nm硅基氮化镓（GaN）工艺，本文设计并实现了一款工作频段为20～26 GHz且增益平坦的可变增益低噪声放大器（VGLNA）。该放大器采用三级共源级级联来实现高增益，并通过调节第二、第三级的栅极偏置实现增益控制。测试结果表明，该放大器在工作频段内实现了超过20 dB的增益可变范围和±1.5 dB的增益平坦度，在增益可变范围内功耗为126 mW至413 mW。在最大增益状态下，该放大器在整个频段内可实现大于20 dB的小信号增益且噪声系数（NF）为2.95 dB至3.5 dB，平均P1dB约为14.5 dBm。芯片的核心面积为2 mm²。

文章关键词:GaN HEMT,微波单片集成电路,低噪声放大器,可变增益放大器,

项目基金:国家重点研发计划（2018YFB1802002）,

论文作者:江兰兰¹ 薛泉^1,2 

作者单位:3. 南京理工大学电子工程与光电技术学院 2. 琶洲实验室智能感知与无线传输中心 

论文分类号: TN722.3

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